Сортировать по
QUBE QB-OL201
Код товара: 52495
Процессорная совместимость: Intel 2011 / 2011 v3 | Intel 2066 | AMD AM2/AM3/FM1/FM2 | AMD AM4 | Intel 115x | Intel 1200 | Intel 1366
Тип: воздушное охлаждение
Источник питания системы охлаждения: 4-pin
Количество вентиляторов: 1
Скорость вращения, об/мин: 1800 – 1999 об/мин
QUBE QBC-GPM-550W-80B
Код товара: 47703
Тип: Блок питания
Мощность , Вт: 550
Сертификат 80: 80+ Bronze
Тип разъема питания процессора: 1 x 8(4+4) pin
Питание видеокарты: 1 x (6+2) pin
Популярное
Серия: AMD Ryzen 5
Поколение процессора: AMD Ryzen 5-го поколения
Комплектация (Tray/Box/MPK): Box
Бренд товара: AMD
Samsung 16 GB DDR4 3200 MHz (M378A2G43AB3-CWE)
Код товара: 136689
Тип: Оперативная память
Форм-фактор: DIMM
Тип памяти: DDR4
Объем памяти, ГБ: 16
Назначение: Память для настольных компьютеров
Samsung 16 GB DDR4 3200 MHz (M378A2G43CB3-CWE)
Код товара: 112858
Тип: Оперативная память
Тип памяти: DDR4
Объем памяти, ГБ: 16
Эффективная частота, МГц: 3200
Количество планок в комплекте: 1
Популярное
Тип: Оперативная память
Форм-фактор: SO-DIMM
Тип памяти: DDR4
Объем памяти, ГБ: 16
Назначение: Память для ноутбуков
Samsung 16 GB SO-DIMM DDR4 3200 MHz (SEC432S16/16)
Код товара: 115765
Тип: Оперативная память
Форм-фактор: SO-DIMM
Тип памяти: DDR4
Объем памяти, ГБ: 16
Назначение: Память для ноутбуков
Популярное
Форм-фактор: SO-DIMM
Назначение: Память для ноутбуков
Популярное
Тип: Оперативная память
Форм-фактор: DIMM
Тип памяти: DDR4
Объем памяти, ГБ: 8
Назначение: Память для настольных компьютеров
Samsung 8 GB SO-DIMM DDR4 3200 MHz (SEC432S16/8)
Код товара: 131143
Форм-фактор: SO-DIMM
Назначение: Память для ноутбуков
Samsung 860 EVO 2.5 500 GB (MZ-76E500BW)
Код товара: 2629
Тип: внутренний SSD накопитель
Объем, ГБ: 500
Серия: 860 EVO 2.5
Интерфейс накопителя: SATA 3
Тип памяти NAND: V-NAND
Популярное
Тип: внутренний SSD накопитель
Объем, ГБ: 1000
Серия: 870 EVO
Интерфейс накопителя: SATA 3
Тип памяти NAND: V-NAND
Популярное
Тип: внутренний SSD накопитель
Объем, ГБ: 2000
Серия: 870 EVO
Интерфейс накопителя: SATA 3
Тип памяти NAND: V-NAND
Популярное
Тип: внутренний SSD накопитель
Объем, ГБ: 4000
Серия: 870 EVO
Интерфейс накопителя: SATA 3
Тип памяти NAND: V-NAND
Samsung 870 QVO 1 TB (MZ-77Q1T0BW)
Код товара: 37952
Тип: внутренний SSD накопитель
Объем, ГБ: 1000
Серия: 870 QVO
Интерфейс накопителя: SATA 3
Тип памяти NAND: V-NAND
Популярное
Тип: внутренний SSD накопитель
Объем, ГБ: 2000
Серия: 870 QVO
Интерфейс накопителя: SATA 3
Тип памяти NAND: V-NAND
Популярное
Тип: внутренний SSD накопитель
Объем, ГБ: 8000
Серия: 870 QVO
Интерфейс накопителя: SATA 3
Тип памяти NAND: V-NAND
Samsung 8GB DDR4 3200MHz CL22 (M378A1G44CB0-CWE)
Код товара: 101005
Тип: Оперативная память
Форм-фактор: DIMM
Тип памяти: DDR4
Объем памяти, ГБ: 8
Назначение: Память для настольных компьютеров
Популярное
Тип: внутренний SSD накопитель
Объем, ГБ: 500
Серия: 970 EVO
Интерфейс накопителя: PCI-E 3.0
Тип памяти NAND: V-NAND
Популярное
Тип: внутренний SSD накопитель
Объем, ГБ: 1000
Серия: 970 EVO Plus
Интерфейс накопителя: PCI-E 3.0
Тип памяти NAND: V-NAND
Популярное
Тип: внутренний SSD накопитель
Объем, ГБ: 250
Серия: 970 EVO Plus
Интерфейс накопителя: PCI-E 3.0
Тип памяти NAND: V-NAND
Популярное
Тип: внутренний SSD накопитель
Объем, ГБ: 1000
Серия: 980
Интерфейс накопителя: PCI-E 3.0
Тип памяти NAND: V-NAND
Samsung 980 250 GB (MZ-V8V250BW)
Код товара: 45398
Тип: внутренний SSD накопитель
Объем, ГБ: 250
Серия: 980
Интерфейс накопителя: PCI-E 3.0
Тип памяти NAND: TLC
Samsung 980 PRO 1 TB (MZ-V8P1T0B/AM)
Код товара: 109392
Тип: внутренний SSD накопитель
Объем, ГБ: 1000
Серия: 980 PRO
Интерфейс накопителя: PCI-E 4.0
Форм-фактор (для внутренних): M.2
Популярное
Тип: внутренний SSD накопитель
Объем, ГБ: 1000
Серия: 980 PRO
Интерфейс накопителя: PCI-E 4.0
Тип памяти NAND: V-NAND
Samsung 990 EVO 1 TB (MZ-V9E1T0BW)
Код товара: 115323
Тип: внутренний SSD накопитель
Объем, ГБ: 1000
Интерфейс накопителя: PCI-E 4.0
Форм-фактор (для внутренних): M.2
Тип памяти NAND: TLC
Samsung 990 PRO 1TB with Heatsink (MZ-V9P1T0GW)
Код товара: 112595
Тип: внутренний SSD накопитель
Объем, ГБ: 1000
Интерфейс накопителя: PCI-E 4.0
Форм-фактор (для внутренних): M.2
Тип памяти NAND: TLC